未来碳化硅革命性进展
2018-09-15 来自: 青州市恒泰微粉有限公司 浏览次数:250
第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带Ⅳ族化合物以及宽禁带氧化物，具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
上一条 ：
碳化硅--青州市恒泰微粉...
下一条 ：
绿碳化硅微粉粒度对光伏的影响
产品展示
产品展示